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一种半导体器件包括P型场效应晶体管(PFET)和NFET。PFET包括设置在衬底中的N阱、设置在N阱上方的第一鳍结构、设置在N阱上方的第一衬垫层以及设置在第一衬垫层上方的第二衬垫层。第一衬垫层和第二衬垫层包括不同的材料。NFET包括设置在衬...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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