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静电放电保护装置、电路及其制作方法制造方法及图纸
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文档序号:19431284
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本发明公开了一种用于静电放电(ESD)保护装置、电路及其制作方法。其中,静电放电保护装置包括:第一掺杂剂类型的基础阱,位于基底上;第一掺杂剂类型的第一阱,位于基础阱中;第二掺杂剂类型的第二阱,位于基础阱中;第一掺杂剂类型的第一高掺杂区及第二...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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