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本申请提供了一种半导体结构与其制作方法。该半导体结构的制作方法包括：步骤S1，形成具有凹槽的基底，基底包括衬底与介电层；步骤S2，在凹槽中设置半导体材料，形成纳米线；步骤S3，在纳米线的裸露表面上以及介电层的裸露表面设置结构层，纳米线的材料...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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