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本发明提供一种栅极环绕半导体器件及其制作方法。所述方法包括：提供如下所述的半导体衬底，栅极开口包括有源鳍与一个相邻的栅极环绕沟道之间以及两个相邻的栅极环绕沟道之间的栅极空间；在第一及第二区中在栅极开口的底部及侧壁上及在栅极环绕沟道上及围绕栅...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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