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本发明一种用于真空磁控溅射类纯金色金合金靶材及其制备方法，该金合金靶材按照质量百分比的化学组成为Au97.0～99％，Cu0.5～1.7％，Zn0.4～1.0％，Ag0.05～0.2％，Nd0.03～0.05％，Si0.02～0.05％。制...
该专利属于沈阳东创贵金属材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳东创贵金属材料有限公司授权不得商用。

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