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本发明提供一种改善半导体结构的翘曲的方法，包括以下步骤：判断半导体结构的翘曲情况；在判断为所述半导体结构发生朝所述半导体的器件面凸起的阴性翘曲时，在所述半导体结构的背面沉积负应力膜；在判断为所述半导体结构发生朝所述半导体的背面凸起的阳性翘曲...
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