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提供了一种包括堆叠结构的半导体器件。包括多个栅电极的堆叠结构垂直地堆叠在衬底上并在第一方向上延伸。沟道结构包括穿透堆叠结构的垂直沟道以及连接垂直沟道的水平沟道。水平沟道被提供在堆叠结构下方。第一下布线图案设置在衬底与堆叠结构之间并电连接到沟...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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