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半导体衬底具有背面和正面，并且包括与半导体衬底电隔离的半导体阱。器件被配置为从背面检测半导体衬底的薄化。器件包括至少一个沟槽，至少一个沟槽在两个外围位置之间的半导体阱内从正面向下延伸到位于距半导体阱底部一定距离处的位置。沟槽与半导体阱电隔离...
该专利属于意法半导体(鲁塞)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(鲁塞)公司授权不得商用。

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