温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

根据一些实施例，提供半导体装置结构及其形成方法。上述方法包含沉积含有Al原子的第一层，以覆盖第一介电层及第一导电部件。此外，上述方法包含沉积含有N原子的第二层于第一层上，使得第一层和第二层形成了包含氮化铝的蚀刻停止层。蚀刻停止层包含空位，且...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。