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本发明提供一种半导体器件及其制作方法，其中，制作方法包括：提供基板，首次先后植入锗离子和N型掺杂离子于P型阱层的表层并沿基板的厚度方向延伸，形成N型轻掺杂层；刻蚀形成栅极沟槽；在栅极沟槽的表面形成栅极绝缘氧化层；沉积金属于栅极沟槽形成栅极金...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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