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一种方法包括在半导体鳍上形成栅极介电层，以及在栅极介电层上方形成栅电极。栅电极在半导体鳍的侧壁和顶面上延伸。在栅电极的侧壁上选择性地沉积栅极间隔件。栅极介电层的暴露部分不含有与用于形成沉积在其上的栅极间隔件相同的材料。该方法还包括使用栅极间...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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