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一种半导体器件包括鳍型有源图案中的源/漏区、与源/漏区相邻的栅结构以及源/漏区和栅结构上的绝缘层。共享接触插塞穿透绝缘层，并且包括连接到源/漏区的第一下部、连接到栅结构的第二下部以及连接到第一下部和第二下部的上表面的上部。插塞间隔物膜位于第...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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