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文档序号:19182461
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一种具有FINFET的半导体器件,其提供了增强的可靠性。该半导体器件包括第一N沟道FET和第二N沟道FET,它们串联耦合在用于2输入NAND电路的输出的布线和用于第二电源电位的布线之间。在平面图中,局部布线设置在沿第二方向延伸的第一N沟道F...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。
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