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本发明公开一种均匀场流的蚀刻装置,包括反应槽、入射单元、溢流槽、循环洁净单元,所述入射单元设置在反应槽的底部,入射单元包括入射管和反射罩,所述反射罩上表面为设置通孔的平面,反射罩通过通孔与反应槽连通,下表面为抛物面,所述入射管置于所述抛物面...该专利属于福建省福联集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过福建省福联集成电路有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种均匀场流的蚀刻装置,包括反应槽、入射单元、溢流槽、循环洁净单元,所述入射单元设置在反应槽的底部,入射单元包括入射管和反射罩,所述反射罩上表面为设置通孔的平面,反射罩通过通孔与反应槽连通,下表面为抛物面,所述入射管置于所述抛物面...