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本公开提供了半导体器件和SRAM器件。包括第一晶体管和第二晶体管的半导体器件集成在基板上。第一和第二晶体管的每个包括纳米尺寸有源区域，该纳米尺寸有源区域包括提供在纳米尺寸有源区域的各端部中的源极区域和漏极区域以及提供在源极区域和漏极区域之间...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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