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本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：形成第一材料层，所述第一材料层包含多个氢键；在第一材料层上形成第二材料层，第二材料层的致密度大于第一材料层，其中，在形成第一材料层之后、并且在形成第二材料层之前进一步包括，执行退火以减少所述多个氢键...
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