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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维堆叠的闪存结构，包括：基板；支撑板，形成于基板的上表面，由半导体材料制备形成；第一侧面结构；第二侧面结构；第一侧面结构包括上下堆叠的多个第一晶体管控制结构，且相邻的第一晶体管控制结构之间通过第一隔离...
该专利属于东芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东芯半导体有限公司授权不得商用。

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