下载高电阻率基底上的双极型晶体管的技术资料

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公开了一种用于利用被布置在基底的高电阻率区域上或其上面的一个或多个双极型晶体管处理射频(RF)信号的系统和方法。基底例如可以包括块状硅,所述块状硅的至少部分具有高电阻率特性。例如,块状基底可以具有大于500Ohm*cm的电阻率,诸如在1kO...
该专利属于天工方案公司所有,仅供学习研究参考,未经过天工方案公司授权不得商用。

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