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本发明提供一种半导体电容装置及其制作方法，该制作方法采用包含第一牺牲层、第一支撑层、第二牺牲层、第二支撑层、第三牺牲层及第三支撑层的三层牺牲层及三层支撑层的叠层结构，以提高电容高度，通过将第一牺牲层及第二牺牲层分两次沉积形成下层及上层，且每...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。

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