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本发明提供一种集成电路存储器及其形成方法、半导体器件，所述方法包括在基底上形成第一间隔材料层，并刻蚀形成多个第一开口，每一第一开口暴露出两个相邻的位线接触区以及两个位线接触区之间的字线，形成阻挡层在第一开口的底部及侧壁，并部分填充导电层在第...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。

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