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本发明公开了一种14T抗辐照静态存储单元，能够提高抗SEU能力，可以在牺牲较小单元面积的情况下大幅度提高单元的速度，并且降低了功耗。在读写阶段，WL信号为高电平。当电路处于写阶段时，如果BL为高电平，BLB为低电平，那么通过差分输入晶体管N...
该专利属于安徽大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽大学授权不得商用。

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