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描述了通过使用NAND串的不同部分之间的一个或多个层选择栅极晶体管来改善非易失性存储器的性能的系统和方法。第一存储器串层可以包括第一组存储器单元晶体管，第一组存储器单元晶体管可以被编程以储存第一组数据，并且第二存储器串层可以包括第二组存储器...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。

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