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半导体器件可以包括衬底上的第一有源图案，第一有源图案包括从衬底突出的多个第一有源区。第二有源图案可以在衬底上，包括从衬底突出的多个第二有源区。第一栅电极可以包括以第一高度在第一有源图案上延伸的上部，并且包括以比第一栅电极的第一高度低的第二高...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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