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本发明属于半导体光电器件领域，尤其涉及一种可控制“V”形缺陷大小及密度的氮化物发光二极管组件，通过于N型层和有源层之间设置依次第一缺陷调控层、第二缺陷调变层和第三缺陷调变层，在调控“V”形缺陷的大小及密度的同事，也调控器件由于缺陷较多而产生...
该专利属于安徽三安光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽三安光电有限公司授权不得商用。

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