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本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及存储介质。本发明的课题为在三维结构的FLASH存储器中也可形成良好特性的半导体器件。为了解决上述课题，本发明提供一种技术，该技术包括：在形成有绝缘膜的衬底被载置于处理室内的衬底载置部的状态下，向...
该专利属于株式会社日立国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立国际电气授权不得商用。

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