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提供一种能够提高使膜特性改变的处理后的衬底的特性的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。包括：收容衬底的处理容器；衬底支承部，在处理容器内支承衬底，具有支承电极；与衬底支承部相对的上部电极；第一阻抗控制部，其一端连接于上部电极；第二...
该专利属于株式会社日立国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立国际电气授权不得商用。

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