下载基于鳍的III-V/SI或GE CMOS SAGE集成的技术资料

文档序号:18610675

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本发明的实施例包括一种半导体结构和一种制造此类结构的方法。在一个实施例中,该半导体结构包括形成在衬底之上的第一鳍和第二鳍。该第一鳍可以包括第一半导体材料并且第二鳍可以包括第二半导体材料。在一个实施例中,与第一鳍邻近地形成第一保持架结构,并且...
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