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本发明提供了一种优化的芯片级封装工艺方法，其中，提供一第一晶圆，包括以下步骤：于第一晶圆表面形成第一沟槽结构；于第一晶圆表面形成第二沟槽结构；对第一沟槽结构和第二沟槽结构进行填充；对填充后的第一晶圆表面进行平坦化，至露出第一晶圆表面；于第一...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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