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本公开涉及半导体器件及其制造方法，其改进了半导体器件的特性。包括MOS晶体管的有源区被构造为使得在平面图中，有源区包括沿X方向延伸的第一侧面、与第一侧面相对的第二侧面、从第一侧面突出的延伸部和从第二侧面凹陷的切除部。通过在与形成延伸部的第一...
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