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本发明提出了一种直流磁控技术制备周期厚度横向二维梯度分布的Mo/Si多层膜的方法，选择Mo/Si作为多层膜材料，标定了在直流磁控溅射镀膜方法中Mo靶和Si靶在掠靶镀膜模式下基底上的膜厚分布情况，并据此制备了掩膜版。利用掩膜版控制膜厚和调节基...
该专利属于苏州宏策光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州宏策光电科技有限公司授权不得商用。

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