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本发明涉及一种半导体结构的制造方法，在布置有5V器件区和SONOS存储区的半导体基底上，首先在SONOS存储区形成ONO结构，该ONO结构包括覆盖其顶部和侧面的表面覆盖层，接着在5V器件区形成第一栅极结构，第一栅极结构包括第一栅硬掩模层，在...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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