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具有凹陷的非活性的半导体沟道截面的3D半圆形垂直NAND串制造技术
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下载具有凹陷的非活性的半导体沟道截面的3D半圆形垂直NAND串的技术资料
文档序号:18179632
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包括每个存储器开口中的每级双存储器单元的垂直存储器器件可以具有突出到存储器开口内的存储器堆叠结构的面向的一对侧壁中的电介质分离器电介质结构。面向电介质分离器电介质结构的垂直半导体沟道的一对非活性的部分从控制栅极电极横向地凹陷。由于电介质分离...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。
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