温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

牺牲材料层和绝缘层的交替堆叠形成在基底上。可以采用开口的子集来执行利用导电层替换牺牲材料层。采用开口的主要子集来在其中形成存储器堆叠结构。开口的次要子集被采用作为接入开口，用于引入蚀刻剂去除牺牲材料层以形成横向凹陷并提供用于在横向凹陷中沉积...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。