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本申请涉及半导体器件。在包括具有EGE结构的有源单元区域的IGBT的半导体器件的IE效应中实现了改进。在Y轴方向上延伸的多个混合单元区域中的每个区域具有在Y轴方向上延伸的第一沟槽电极、第二沟槽电极和第三沟槽电极、p型本体区域以及接触沟槽，所...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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