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本发明公开了一种钨填充凹槽结构的方法，包括步骤：步骤一、形成凹槽结构；步骤二、形成氮化钛层；步骤三、采用WF6作为钨源形成钨成核层；步骤四、进行氟去除处理；步骤五、进行采用WF6作为钨源的CVD工艺淀积钨主体层；步骤六、进行钨的化学机械性研...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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