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半导体存储器件制造技术
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文档序号:18052415
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本发明提供了一种半导体存储器件。所述半导体存储器件可以包括远离基板突出的沟道层。所述半导体存储器件可以包括分别联接到所述沟道层的多个焊盘。根据沟道层的弯曲,所述焊盘的宽度可以增加也可以不增加。...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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