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本公开提供了包括沟道结构的半导体器件。一种半导体器件包括设置在半导体衬底上的堆叠结构。堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和栅电极。多个分隔图案设置为穿透堆叠结构。沟道结构设置在所述多个分隔图案中的两个相邻的分隔图案之间。沟道结构包括插置在堆叠...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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