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一种半导体器件包括：衬底上的掺杂有第一杂质的第一半导体图案；所述第一半导体图案上的第一沟道图案；分别接触所述第一沟道图案的上部边缘表面的掺杂有第二杂质的第二半导体图案；以及至少包括所述第一沟道图案的侧壁的一部分的第一栅极结构。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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