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本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体涉及一种MOS器件原子层沉积原位制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：对基底进行清洗，放入选区修饰处理腔体；将所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长半导体材料提供成核中心；在原子层沉积腔体中在所述基底上...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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