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一种设备包含：电路结构，其包含第一侧和相反的第二侧，第一侧包含具有多个器件的器件层；耦合到第一侧上的多个器件中的一个的导电接触部；以及部署在该结构的第二侧上并耦合到传导接触部的导电互连。一种方法包含：形成包含位于源极和漏极之间的沟道与位于沟...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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