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公开了用于在晶体管隔片下的电阻降低的技术。在一些实例中，技术包含降低源极/漏极（S/D）掺杂剂对热循环的暴露，由此降低S/D掺杂剂对周围材料的扩散和损耗。在一些此类实例中，技术包含显示掺杂S/D材料的外延沉积，直到接近晶体管形成工艺流程的结...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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