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提供了半导体接触架构，其中接触金属延伸到进行接触的半导体层中，由此增加接触面积。偏移间隔部允许实现到半导体材料中的相对深的蚀刻。因此，不是仅仅半导体的平坦水平表面被暴露用于接触面积，而是相对长的垂直沟槽侧壁以及底壁被暴露且可用于接触面积。然...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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