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公开了用于钝化晶体管沟道区域界面的技术。在一些情况下，待钝化的晶体管沟道区域界面包含半导体沟道与栅极电介质之间的界面和/或子沟道半导体材料与隔离材料之间的界面。例如，可以使用氧化铝（也被称为矾土）层来钝化其中沟道材料包含硅锗、锗或III‑V...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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