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3D存储器结构的制造工艺使用激光热退火(LTA)提供漏极侧选择栅极(SGD)晶体管的单晶硅沟道。该3D存储器结构包含由交替的导电层和电介质层的阵列形成的堆叠体。通过用存储器膜填充存储器孔来形成NAND串，其包含电荷捕获材料、隧道氧化物以及多...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。

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