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多层级存储器器件形成在衬底之上，使得存储器堆叠体结构穿过每个层内的绝缘层和电气导电层的交替堆叠体延伸。位线形成在具有半导体沟道之上的漏极区域的下卧层和具有在半导体沟道之下的漏极区域的上覆盖层之间，使得位线在下卧层和上覆盖层之间共享。源极线可...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。

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