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一种进行在半导体层(11)的厚度方向上形成沟槽(20)的沟槽蚀刻、形成隔着沟槽而彼此的侧壁(16a，18a)相对置的第一图案部(16)及第二图案部(18)这两个图案部的半导体装置的制造方法，沟槽蚀刻中，在半导体层的表面形成保护膜(4)并且将...
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