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基板处理方法、基板处理装置以及存储介质制造方法及图纸
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文档序号:17961195
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基板处理方法包括以下工序:第一处理工序,向正在旋转的所述基板的周缘部分供给以第一混合比含有氢氟酸和硝酸的第一处理液,来对所述去除对象膜进行蚀刻;以及第二处理工序,在向所述基板供给所述第一处理液之后,向正在旋转的所述基板的周缘部分供给第二处理...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。
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