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一种半导体堆叠体包括：衬底，其由碳化硅制成；以及外延层，其设置在所述衬底上并且由碳化硅制成。所述外延层的外延主表面是相对于c面具有4°或更小的偏离角的碳表面，所述外延主表面是与所述衬底相反的主表面。在所述外延主表面中形成有多个第一凹部，从平...
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