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本文所述实施方式整体涉及用于在低温下形成保形氮化硅层的方法。在使包括三甲硅烷基胺的气体混合物流入处理腔室中时，可通过将射频(RF)功率脉冲到处理腔室中来形成保形氮化硅层。经脉冲的RF功率增加中性物质与离子物质的比率并且三甲硅烷基胺的活化物质...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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