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本实用新型提供一种半导体器件反熔丝结构，制备包括：提供一半导体衬底，具有有源区及隔离区；于半导体衬底内定义一反熔丝配置区，形成一环绕反熔丝配置区的沟槽结构，反熔丝配置区包括位于有源区内的第一部分及延伸至隔离区内的第二部分；于沟槽结构的底部及...
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